ULTRASONIC ATTENUATION OF HEAVILY DOPED SEMICONDUCTORS IN THE WEAKLY LOCALIZED REGIME

Résumé
Nous avons étudié théoriquement l'atténuation ultrasonore des semiconducteurs à la vallée-unique ou aux vallées-multiples fortement dopés dans des régimes faiblement localisés. Nous montrons que la modification quantique à la coefficient d'atténuation, Δα, décroit par l'augmentation de la température. Dans le cas des vallées-multiples, Ɗα décroit lorsque la diffusion inter-vallées devient forte. Le signe de Ɗα est le même que celui de Ɗσ, la modification quantique à la conductivité électrique dans le cas des vallées-multiples, mais opposé dans le cas de la vallée-unique.

Abstract
We have theoretically studied the ultrasonic attenuation of heavily doped semiconductors with a single-valley or a many-valley in the weakly localized regime. The following has been found. A contribution from quantum correction terms to the attenuation coefficient Ɗα decreases with increasing temperature. In the many-valley case Ɗα decreases with increasing the strength of the intervalley scattering. The sign of Ɗα is the same as that of Ɗσ, the quantum correction to the electrical conductivity, in the many-valley case, but opposite in the single-valley case.