DOMAIN WALL AND BLOCH LINE PHENOMENA IN (111) - AND (110) - ORIENTED GARNETS AND ITS APPLICATION TO BLOCH LINE MEMORY

Résumé
Les lignes de Bloch Verticales (VBL) peuvent être utilisées comme élément de mémoire magnétique. Leur existence est intimement liée au comportement dynamique des parois dans des couches minces de grenats epitaxiés. Jusqu'à présent, les travaux ont surtout porté sur des couches d'orientation 111. Dans ce travail, l'influence de l'existence d'une direction d'aimantation préférentielle dans le plan est considérée. Trois effets importants en résultent : 1) L'anisotropie planaire stabilise une direction de ruban et renforce le confinement imposé par les gorges usinées dans le matériau. 2) Une variété de parois avec ou sans lignes de Bloch ont été observées ainsi que les transitions d'un état de paroi vers un autre état. 3) Le seuil de nucléation de lignes de Bloch horizontales ainsi que leur conversion en lignes verticales sont modelables par variation de la constante d'anisotropie planaire K_i. Ces résultats sont évalués à la lumière de ceux connus pour les couches 111.

Abstract
Vertical Bloch Lines are used as memory elements in the VBLM-concept. The existence of these Bloch lines is closely coupled to domain wall phenomena in thin ferrimagnetic garnet films. Most of the work done so far concentrates on (111) - oriented garnets. In this paper the influence of an additional preferential axis of magnetization in the film plane is considered. Three main effects have been found : 1. The inplane anisotropy helps to stabilize stripe domains locally and therefore supports the so-called grooving, 2. There exists a variety of magnetic domains with and without Bloch lines which can easily be converted into each other, 3. With varying inplane anisotropy constant K_i the onset of horizontal Bloch line nucleation and subsequent HBL-punch through can be manipulated. These findings are discussed with respect to the VBLM and critically compared to those obtained for (111)-garnets.