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J. Phys. Colloques
Volume 46, Numéro C6, Septembre 1985
MMA' 85Europhysics Conference on Magnetic Materials for Applications |
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| Page(s) | C6-127 - C6-130 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1985622 | |
Europhysics Conference on Magnetic Materials for Applications
J. Phys. Colloques 46 (1985) C6-127-C6-130
DOI: 10.1051/jphyscol:1985622
MATERIAL CONSIDERATION FOR VERTICAL BLOCH LINE MEMORY
G. Ronan1, W. Clegg1 et S. Konishi21 Department of Electrical Engineering, University of Manchester, Manchester M13 9PL, U. K.
2 Department of Electrical Engineering, Kyushyu University, Fukuoka, Japan
Résumé
Un modèle simplifié de la paroi séparant deux domaines est employé afin d'envisager les exigences d'un matériau qui conduiraient à l'élaboration d'un film de grenat à bulles typiquement adapté aux besoins spécifiques de la mémoire VBL. Un matériau à large Q, faible épaisseur (h ≈ 3-4ι) et grand α paraîtrait pouvoir optimiser la force gyrotropique du champ agissant et minimiser l'attraction VBL paire-paire non-désirée. Cependant, pour minimiser l'amplitude du puits de potentiel et celle du champ agissant, il apparaîtrait avantageux d'accroître la séparation entre bits jusqu'à une valeur de l'ordre de 0,8 Sw.
Abstract
A simplified model of a domain wall is employed to consider some of the material requirements that would tailor a typical bubble garnet film to the specific needs of VBL memory. A large Q, low thickness (h ≈ 3-4ι), high α material would appear t o optimise drive field gyrotropic force and minimise the undesirable VBL pair-pair attraction. Even so, t o minimise the required potential well and drive field amplitudes, it would appear expedient to increase the bit separation to be of the order of 0.8 Sw.