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J. Phys. Colloques
Volume 46, Numéro C4, Avril 1985
International Conference on the Structure and Properties of Internal Interfaces
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| Page(s) | C4-405 - C4-410 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1985443 | |
J. Phys. Colloques 46 (1985) C4-405-C4-410
DOI: 10.1051/jphyscol:1985443
ELECTRICAL PROPERTIES AND MICROSTRUCTURE OF INTERNAL INTERFACES IN Al DOPED POLYSILICON
J.L. Maurice1, J.Y. Laval1 et J.E. Bouree21 Laboratoire de Chimie et Microstructure du Solide Minéral, CNRS-ESPCI, 10, rue Vauquelin, 75231 Paris Cedex 05, France
2 Laboratoire de Physique des Solides, CNRS Bellevue, 1, place A. Briand, 92195 Meudon Cedex, France
Résumé
Les propriétés électriques du silicium polycristallin varient fortement avec la concentration en aluminium (NAl). En effet, cet élément peut jouer le rôle non seulement d'accepteur ou de centre de recombinaison intra-granulaire mais encore de passivant électrique aux joints de grains suivant le site qu'il occupe ou son environnement chimique. L'influence de l'oxygène sur le phénomène de précipitation aux interfaces internes et aux dislocations est analysée. Par ailleurs, la cartographie LBIC permet de caractériser l'activité électrique des joints de grains et en particulier des macles en relation avec le mécanisme de coségrégation.
Abstract
In polysilicon, electrical properties are strongly influenced by Al concentration (NAl). Al acts as an acceptor or as a recombinating agent within grains and it can electrically passivate grain boundaries, according to its site occupation or to its chemical environment. The influence of oxygen on the Al precipitation at internal interfaces and dislocations was analysed. The LBIC technique was applied in the mapping mode to characterize the electrical activity of grain boundaries and specifically of twin boundaries in relationship with co-segregation mechanism.