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J. Phys. Colloques
Volume 46, Numéro C4, Avril 1985
International Conference on the Structure and Properties of Internal Interfaces
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| Page(s) | C4-411 - C4-416 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1985444 | |
J. Phys. Colloques 46 (1985) C4-411-C4-416
DOI: 10.1051/jphyscol:1985444
STRUCTURAL AND ELECTRICAL EFFECTS OF DOPANT SEGREGATION TO SILICON GRAIN BOUNDARIES
C.R.M. Grovenor1, D.A. Smith2 et C.Y. Wong21 Dept. of Metallurgy, Oxford University, Oxford OX1 3RQ, U.K.
2 IBM T.J. Watson Research Centre, Yorktown Heights, NY 10598, U.S.A.
Résumé
L'analyse STEM à haute résolution de ségrégation aux joints de grains d'arsenic dans le silicium polycristallin a démontré qu'il y a forte ségrégation après chauffage entre 700 et 1000°C. La variation de la ségrégation avec la température permet le calcul de l'énergie moyenne de ségrégation d'atomes As aux joints de grains du silicium (0,65eV/atome) et la concentration de saturation moyenne (12at%). Nous considérons deux espèces possibles de sites de ségrégation en insistant sur les effets électriques de la ségrégation à ces sites.
Abstract
High resolution STEM analysis of grain boundary segregation of arsenic in CVD grown polysilicon has shown that there is substantial equilibrium segregation after annealing at temperatures between 700 and 1000°C. The variation of extent of segregation with temperature allows calculation of the average binding energy of arsenic atoms to silicon grain boundaries (0.65eV/atom) and the average saturation concentration in the boundaries (12at%). 2 possible segregation sites are discussed with emphasis on the electrical effects of segregation to them.