| Numéro |
J. Phys. Colloques
Volume 45, Numéro C2, Février 1984
10ème Congrès International d'Optique des Rayons X et de Microanalyse 10th International Congress on X-Ray Optics and Microanalysis |
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| Page(s) | C2-301 - C2-306 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1984267 | |
10ème Congrès International d'Optique des Rayons X et de Microanalyse
10th International Congress on X-Ray Optics and Microanalysis
J. Phys. Colloques 45 (1984) C2-301-C2-306
DOI: 10.1051/jphyscol:1984267
Department of Applied Physics, Waseda University 3-4-1, Ohkubo, Shinjuku-ku, Tokyo 160, Japan
10th International Congress on X-Ray Optics and Microanalysis
J. Phys. Colloques 45 (1984) C2-301-C2-306
DOI: 10.1051/jphyscol:1984267
ANALYTICAL LOW VOLTAGE SEM IN UHV FOR SOLID SURFACE
T. Ichinokawa, H. Ampo et S. KinoshitaDepartment of Applied Physics, Waseda University 3-4-1, Ohkubo, Shinjuku-ku, Tokyo 160, Japan
Résumé
La conception et les performances d'un SEM fonctionnant sous ultra vide avec un canon à émission de champ sont présentées. Des études du nettoyage par recuit d'une surface Si (111), des processus de nucléation de Au et Ag sur Si (111), de la cinétique de diffusion de Ni sur Si (110), illustrent l'intérêt de la méthode.
Abstract
Design and performance of the UHV-SEM with a Field emission gun are described. The applications of it to the cleaning process of Si (111) surface by annealing, nucleation process of Au and Ag on the Si (111) and kinetics of formation of Ni diffusion layer on the Si (110) are demonstrated.