Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 45, Numéro C2, Février 1984
10ème Congrès International d'Optique des Rayons X et de Microanalyse
10th International Congress on X-Ray Optics and Microanalysis
Page(s) C2-903 - C2-906
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:19842207
10ème Congrès International d'Optique des Rayons X et de Microanalyse
10th International Congress on X-Ray Optics and Microanalysis

J. Phys. Colloques 45 (1984) C2-903-C2-906

DOI: 10.1051/jphyscol:19842207

CRYSTALLINE STRUCTURE AND DOPING LEVEL OF THIN ELECTROLUMINESCENT ZnS:Mn LAYERS

A. Izrael, P. Thioulouse et R. Tueta

Centre National d'Etudes des Télécommunications, 196 rue de Paris, 92220 Bagneux, France


Résumé
Par comparaison des propriétés électrooptiques et microstructurales des couches électroluminescentes ZnS:Mn, nous avons montré que la luminance augmente avec la taille des grains. Le recuit effectué sous certaines conditions s'accompagne simultanément d'un abaissement de la tension de seuil de luminescence et d'une modification de la répartition en profondeur du manganèse dans la couche active.


Abstract
Comparing electrooptic and microstructural properties of electroluminescent (E.L.) ZnS:Mn thin layers, we showed the increase of the luminance with the grain size ; meanwhile the annealing under specific conditions induces two simultaneous effects : the E.L. threshold voltage is lowered and the Mn concentration in the depth of the active layer is modified.