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J. Phys. Colloques
Volume 45, Numéro C2, Février 1984
10ème Congrès International d'Optique des Rayons X et de Microanalyse 10th International Congress on X-Ray Optics and Microanalysis |
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| Page(s) | C2-891 - C2-894 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:19842204 | |
10th International Congress on X-Ray Optics and Microanalysis
J. Phys. Colloques 45 (1984) C2-891-C2-894
DOI: 10.1051/jphyscol:19842204
X RAYS AND ELECTRON MICROPROBE ANALYSIS OF III-V SEMICONDUCTORS
C. Schiller et M. DuseauxLaboratoires d'Electronique et de Physique Appliquée, 3 avenue Descartes, 94450 Limeil-Brévannes, France
Résumé
Le dopage isoélectronique de l'arséniure de gallium par l'indium a été étudié par topographie en transmission des rayons X, spectrométrie des rayons X et microanalyse à la sonde électronique. Sur des plaques coupées parallèlement à l'axe de tirage de InxGa1-xAs, une corrélation a été établie entre la concentration d'indium et la répartition des dislocations. Cette corrélation est essentielle pour le tirage des cristaux puisqu'elle permet de déterminer la concentration optimale d'indium dans la source avant la croissance LEC.
Abstract
Isoelectronic doping by indium in gallium arsenide was studied by X ray transmission topography X ray spectrometry and electron microprobe analysis. A correlation was so obtained between the indium content x of pseudobinaries InxGa1-xAs and the dislocation distribution on slices cut parallel to the growth axis. The knowledge of such distribution is essential for crystal growers to determine the indium content in the melt before LEC growth.