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J. Phys. Colloques
Volume 45, Numéro C2, Février 1984
10ème Congrès International d'Optique des Rayons X et de Microanalyse 10th International Congress on X-Ray Optics and Microanalysis |
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| Page(s) | C2-801 - C2-804 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:19842184 | |
10th International Congress on X-Ray Optics and Microanalysis
J. Phys. Colloques 45 (1984) C2-801-C2-804
DOI: 10.1051/jphyscol:19842184
ANALYSE DES SURFACES SOLIDES PAR S.I.M.S. UTILISANT UN FAISCEAU PRIMAIRE DE PARTICULES NEUTRALISÉES
G. Borchardt, S. Weber, H. Scherrer et S. ScherrerLaboratoire de Physique du Solide (L.A. 155), E.N.S.M.I.M., Parc de Saurupt, 54042 Nancy Cedex, France
Résumé
La méthode S. I. M. S. utilisant des particules primaires neutralisées (NPB-SIMS) appliquée aux isolants permet d'analyser les ions secondaires positifs ou négatifs sans modifier la distribution des éléments mobiles dans le solide. Les conditions à respecter concernant les champs électriques induits et les mobilités des éléments sont discutées pour des matériaux tels que les oxydes et verres silicatés.
Abstract
Normally the analysis of insulators by the S. I. M. S. method is disturbed by charge effects. The use of neutral primary particles (NPB-SIMS) appreciably reduces these effects and makes possible the analysis of both positive and negative secondary ions without changing the distribution of mobile species in the solid to be analysed if certain conditions are respected. These conditions concerning internal fields and particle mobilities are discussed. Typical results are given.