| Numéro |
J. Phys. Colloques
Volume 45, Numéro C2, Février 1984
10ème Congrès International d'Optique des Rayons X et de Microanalyse 10th International Congress on X-Ray Optics and Microanalysis |
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| Page(s) | C2-647 - C2-652 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:19842151 | |
10ème Congrès International d'Optique des Rayons X et de Microanalyse
10th International Congress on X-Ray Optics and Microanalysis
J. Phys. Colloques 45 (1984) C2-647-C2-652
DOI: 10.1051/jphyscol:19842151
1 Laboratoire de Métallurgie Physique, U.P.S., 91405 Orsay Cedex, France
2 IRSID, 78105 Saint-Germain-en-Laye Cedex, Frace
10th International Congress on X-Ray Optics and Microanalysis
J. Phys. Colloques 45 (1984) C2-647-C2-652
DOI: 10.1051/jphyscol:19842151
SPECIFIC CONTRIBUTIONS OF SIMS AND XPS TO STUDIES OF THERMAL OXIDE FILM
J.C. Pivin1 et D. Loison21 Laboratoire de Métallurgie Physique, U.P.S., 91405 Orsay Cedex, France
2 IRSID, 78105 Saint-Germain-en-Laye Cedex, Frace
Résumé
Le SIMS donne des informations spécifiques sur la diffusion d'un traceur dans un film d'oxyde en cours de croissance et sur la distribution d'impuretés en faibles concentrations dans le film. L'état de valence de ces dopants peut être déterminé par XPS, permettant ainsi d'expliciter leur influence sur les processus de diffusion.
Abstract
SIMS give specific informations on the diffusion of a tracer in growing oxide films and the depth distribution of impurities in low concentrations in the films. The valency of these dopants can be determined by XPS, thus permitting to explain their influence on diffusion processes.