Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 44, Numéro C10, Décembre 1983
Conférence Internationale sur Ellipsométrie et autres Méthodes Optiques pour l'Analyse des Surfaces et Films Minces / Ellipsometry and other Optical Methods for Surface and Thin Film Analysis
Page(s) C10-45 - C10-48
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:19831008
Conférence Internationale sur Ellipsométrie et autres Méthodes Optiques pour l'Analyse des Surfaces et Films Minces / Ellipsometry and other Optical Methods for Surface and Thin Film Analysis

J. Phys. Colloques 44 (1983) C10-45-C10-48

DOI: 10.1051/jphyscol:19831008

ELLIPSOMETRIC STUDIES OF GaAs1-xPx : FOURIER ANALYSIS OF CRITICAL POINT COMPLEXES

S.M. Kelso1 et D.E. Aspnes2

1  Xerox Palo Alto Research Center, Palo Alto, CA 94304, U.S.A.
2  Bell Laboratories, Murray Hill, NJ 07974, U.S.A.


Résumé
Nous présentons la fonction diélectrique, ainsi que sa dérivée, en fonction de l'énergie de 1,5 à 6,0 eV pour des alliages pseudobinaires GaAs1-xPx. Les spectres sont obtenus par ellipsométrie spectroscopique ; ceux se rapportant à la dérivée sont calculés par des techniques récentes d'analyse de Fourier, appliquées ici à des structures à points critiques multiples.


Abstract
We report dielectric function and derivative spectra for pseudobinary GaAs1-xPx alloys from 1.5-6.0 eV obtained by spectroscopic ellipsometry. The derivative spectra are calculated by recently developed Fourier analysis techniques applied here to multiple critical-point structures.