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J. Phys. Colloques
Volume 44, Numéro C10, Décembre 1983
Conférence Internationale sur Ellipsométrie et autres Méthodes Optiques pour l'Analyse des Surfaces et Films Minces / Ellipsometry and other Optical Methods for Surface and Thin Film Analysis
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| Page(s) | C10-45 - C10-48 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:19831008 | |
Conférence Internationale sur Ellipsométrie et autres Méthodes Optiques pour l'Analyse des Surfaces et Films Minces / Ellipsometry and other Optical Methods for Surface and Thin Film Analysis
J. Phys. Colloques 44 (1983) C10-45-C10-48
DOI: 10.1051/jphyscol:19831008
1 Xerox Palo Alto Research Center, Palo Alto, CA 94304, U.S.A.
2 Bell Laboratories, Murray Hill, NJ 07974, U.S.A.
J. Phys. Colloques 44 (1983) C10-45-C10-48
DOI: 10.1051/jphyscol:19831008
ELLIPSOMETRIC STUDIES OF GaAs1-xPx : FOURIER ANALYSIS OF CRITICAL POINT COMPLEXES
S.M. Kelso1 et D.E. Aspnes21 Xerox Palo Alto Research Center, Palo Alto, CA 94304, U.S.A.
2 Bell Laboratories, Murray Hill, NJ 07974, U.S.A.
Résumé
Nous présentons la fonction diélectrique, ainsi que sa dérivée, en fonction de l'énergie de 1,5 à 6,0 eV pour des alliages pseudobinaires GaAs1-xPx. Les spectres sont obtenus par ellipsométrie spectroscopique ; ceux se rapportant à la dérivée sont calculés par des techniques récentes d'analyse de Fourier, appliquées ici à des structures à points critiques multiples.
Abstract
We report dielectric function and derivative spectra for pseudobinary GaAs1-xPx alloys from 1.5-6.0 eV obtained by spectroscopic ellipsometry. The derivative spectra are calculated by recently developed Fourier analysis techniques applied here to multiple critical-point structures.