Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 44, Numéro C5, Octobre 1983
Interactions Laser-Solides, Recuits par Faisceaux d'Energie / Laser-Solid Interactions and Transient Thermal Processing of Materials
Page(s) C5-401 - C5-408
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:1983558
Interactions Laser-Solides, Recuits par Faisceaux d'Energie / Laser-Solid Interactions and Transient Thermal Processing of Materials

J. Phys. Colloques 44 (1983) C5-401-C5-408

DOI: 10.1051/jphyscol:1983558

PROPRIÉTÉS DES JONCTIONS p/n DANS LE SILICIUM OBTENUES PAR IMPLANTATION IONIQUE ET RECUIT RAPIDE

M.C. Boissy1, P. Ruterana2 et G. Nouet2

1  RTC la Radiotechnique Compelec, BP 6025, 14001 Caen, France
2  Laboratoire de Cristallographie, Chimie et Physique des Solides, LA 251, Université de Caen, 14032 Caen, France


Résumé
Quatre techniques de recuit rapide par faisceau d'énergie ont été évaluées de façon comparative du point de vue de leur application à la recristallisation de couches implantées dans le silicium monocristallin : - le recuit par faisceau laser YAG pulsé (0,53 µm - 100 ms). - le recuit par faisceau laser continu (0,48 à 0,52 µm - 1 ms). - le recuit isotherme rapide par rayonnement infrarouge (1100°C - 10 s). - le recuit par lampe (1100°C - 10 s).