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J. Phys. Colloques
Volume 44, Numéro C4, Septembre 1983
Colloque International du C.N.R.S. sur les Propriétés et Structure des Dislocations dans les Semiconducteurs / Properties and Structure of Dislocations in Semiconductors
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| Page(s) | C4-475 - C4-477 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1983457 | |
J. Phys. Colloques 44 (1983) C4-475-C4-477
DOI: 10.1051/jphyscol:1983457
ON THE MOTION OF DISLOCATION BENDS IN TERMS OF THE KINK MODEL
H. GottschalkAbt. f. Metallphysik, II. Physikalisches Institut, Universität Köln, Zülpicher Str. 77, D-5000 Köln 41, F.R.G.
Résumé
Le régime permanent de déplacement des parties courbées des dislocations dans un cristal de silicium en cours de déformation est expliqué par un modèle de décrochements dans lequel les décrochements s'annihilent au voisinage de l'apex de la courbure. On discute le paradoxe apparent d'une déformation sous faible contrainte conduisant à des dislocations courbées malgré un potentiel de Peierls élevé.
Abstract
The steady state motion of dislocation bends in silicon taking place when the crystal is being deformed is explained in terms of the kink model assuming a kink annihilation mechanism in the apex region of the bend. The apparently paradoxical behaviour that a deformation at low stress produces curved dislocations though the Peierls energy is high is discussed.