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J. Phys. Colloques
Volume 44, Numéro C4, Septembre 1983
Colloque International du C.N.R.S. sur les Propriétés et Structure des Dislocations dans les Semiconducteurs / Properties and Structure of Dislocations in Semiconductors
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Page(s) | C4-387 - C4-394 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1983446 |
J. Phys. Colloques 44 (1983) C4-387-C4-394
DOI: 10.1051/jphyscol:1983446
PLASTIC DEFORMATION OF II-VI COMPOUNDS WITH SPHALERITE STRUCTURE : EXAMPLE ZnSe, ZnTe
G. Rivaud et J.C. DesoyerLaboratoire de Métallurgie Physique, L.A. 131 au C.N.R.S., Faculté des Sciences, 86022 Poitiers, France
Résumé
Deux composés II-VI de structure cubique blende, le ZnSe (ao = 5,667 Å, facteur d'ionicité fi = 0 ,676) et le ZnTe (ao = 6,101 Å, fi = 0,546) ont été déformés plastiquement et les dislocations introduites ont été étudiées par MET. Les échantillons contenant une faible densité de dislocations ont été pré-déformés à 588 K pour le ZnSe et 430 K pour le ZnTe, puis déformés à 293 K pour les deux composés. Dans cette gamme de température, les paramètres d'activation montrent que le mécanisme de Peierls contrôle la déformation. Pour les deux composés, l'effet photoplastique est mis en évidence. Les dislocations glissiles sont étudiées par la méthode des faisceaux faibles. Les mesures de largeur de dissociation permettent de calculer l'énergie de défaut d'empilement. Comme pour les composés III-V la faible valeur de l'énergie de défaut d'empilement réduite peut être reliée au facteur d'ionicité.
Abstract
Two compounds with the sphalerite structure, ZnSe (ao = 5.667 Å, ionicity factor fi = 0.676) and Zn-Te (ao = 6.101 Å, fi = 0.546) have been plastically deformed and the induced dislocation substructure has been studied by TEM. The samples with low dislocation density have been pre-deformed at 588 K for ZnSe and at 430 K for ZnTe and then deformed at lower temperature, 293 K for the two compounds. The activation parameters show that in the temperature range, Peierls friction stresses control the deformation. For the two compounds, the photoplastic effect is evidenced. Using weak-beam electron microscopy the glide dislocations are studied. From the measured dissociation width the stacking fault energy is calculated. As for the III-V compounds the low value of the reduced stacking fault energy can be related to the bond ionicity.