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J. Phys. Colloques
Volume 44, Numéro C4, Septembre 1983
Colloque International du C.N.R.S. sur les Propriétés et Structure des Dislocations dans les Semiconducteurs / Properties and Structure of Dislocations in Semiconductors
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| Page(s) | C4-375 - C4-385 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1983445 | |
J. Phys. Colloques 44 (1983) C4-375-C4-385
DOI: 10.1051/jphyscol:1983445
RECOMBINATION ENHANCED MOBILITY OF DISLOCATIONS IN III-V COMPOUNDS
K. Maeda et S. TakeuchiInstitute for Solid State Physics, University of Tokyo, Roppongi, Minato-ku, Tokyo 106, Japan
Résumé
On examise les caractéristiques quantitatives d'effet de renforcement par irradiation aux électrons sur le glissement des dislocations dans des composés III-V (n-GaAs, n-InP). Cet effet est interprété sur la base du mécanisme de Peierls, par un accroissement de la mobilité des décrochements grâce à l'énergie relachée par les recombinaisons non radiatives des porteurs injectés sur les niveaux localisés associés aux dislocations.
Abstract
Quantitative features of the enhancement effect by electron beam irradiation on the dislocation glide in III-V compounds (n-GaAs, n-InP) are surveyed. The effect is explained in terms of the enhanced kink migration in the Peierls mechanism with an assist of the energy released by the non-radiative recombination of the injected carriers at the localized level associated with the dislocation.