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J. Phys. Colloques
Volume 44, Numéro C4, Septembre 1983
Colloque International du C.N.R.S. sur les Propriétés et Structure des Dislocations dans les Semiconducteurs / Properties and Structure of Dislocations in Semiconductors
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| Page(s) | C4-189 - C4-192 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1983423 | |
J. Phys. Colloques 44 (1983) C4-189-C4-192
DOI: 10.1051/jphyscol:1983423
RELAXATION LONGUE DUREE DE LA PHOTOCONDUCTIVITE DANS CdTe
A. Zozime1 et W. Schröter21 Laboratoire de Physique des Matériaux, CNRS, 92190 Meudon, France
2 IV. Physikalisches Institut der Universität, Göttingen, R.F.A.
Résumé
Différents aspects des mesures de photoconductivité faites sur des monocristaux de CdTe sont présentés. Les signaux montrent l'existence d'un processus de relaxation de longue durée. Les spectres suivent une loi de variation du type loi d'Urbach. Enfin, le seuil d'énergie correspondant à la limite de détection des signaux mesurés dans CdTe de type n correspond à un niveau profond dans la bande interdite, associé aux dislocations.
Abstract
Some aspects of the photoconductivity measurements on CdTe single crystals are presented. The photosignals show the existence of long time relaxation phenomena. The spectra follow a law of the type Urbach's law. The energy threshold corresponding to the limit of detection of the signals measured in n-CdTe corresponds to a deep level in the band gap associated to dislocations.