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J. Phys. Colloques
Volume 44, Numéro C4, Septembre 1983
Colloque International du C.N.R.S. sur les Propriétés et Structure des Dislocations dans les Semiconducteurs / Properties and Structure of Dislocations in Semiconductors
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| Page(s) | C4-169 - C4-181 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1983421 | |
J. Phys. Colloques 44 (1983) C4-169-C4-181
DOI: 10.1051/jphyscol:1983421
CHARACTERIZATION OF STRESS FIELD AND ELECTRIC ACTIVITY OF DISLOCATIONS IN SEMICONDUCTORS
A. Haydar et A. CoretLaboratoire de Spectroscopie et d'Optique du Corps Solide (associé au C.N.R.S. n° 232), 5, rue de l'Université, 67000 Strasbourg, France
Résumé
Les mesures optiques et photoélectriques peuvent être utilisées pour caractériser les dislocations dans les semiconducteurs. Nous avons ainsi interprété la biréfringence et la photoconductivité excitonique de cristaux de Cu2O : les maxima anisotropes de photocourant sont dus à la dissociation des excitons par des champs électriques internes provenant d'arrangements de dislocations du type empilement. Le rôle des dislocations peut être envisagé de la même manière dans d'autres composés semiconducteurs : CuCl et CuBr en particulier.
Abstract
Optical and photoelectrical measurements can be used to characterize dislocations in semiconductors. Birefringence and excitonic photoconductivity in Cu2O crystals are interpreted : anisotropic photocurrent maxima are due to dissociation of excitons by internal electric fields resulting from specific arrangements of dislocations of pile-up type. The role of dislocations can be interpreted in the same way in other semiconducting compounds : CuCl and CuBr in particular.