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J. Phys. Colloques
Volume 44, Numéro C4, Septembre 1983
Colloque International du C.N.R.S. sur les Propriétés et Structure des Dislocations dans les Semiconducteurs / Properties and Structure of Dislocations in Semiconductors
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| Page(s) | C4-125 - C4-132 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1983415 | |
J. Phys. Colloques 44 (1983) C4-125-C4-132
DOI: 10.1051/jphyscol:1983415
OPTICAL PROPERTIES OF PLASTICALLY DEFORMED AIIBVI CRYSTALS
V.Ya. Emelin, N.V. Klassen, V.D. Negrii et Yu.A. OssipyanInstitute of Solid State Physics, Chernogolovka, U.S.S.R.
Résumé
On décrit la diffraction et la propagation anormale de la lumière dans une structure périodique de dislocations formées dans un cristal CdS, l'activité optique des dislocations ainsi que les changements brusques de la polarisation de la photoluminescence qui accompagnent les lignes de glissement. Les effets ainsi mis en évidence peuvent être interprétés en termes d'interactions collectives dans des sous-ensembles de dislocations et de défauts ponctuels.
Abstract
Diffraction and anomalous propagation of light in the periphery of dislocation structure of CdS, optical activity of dislocations and abrupt changes in the polarization of the photoluminescence of dislocation traces have been described. The effects revealed can be explained in terms of the collective interactions in the subsystems of dislocations and point defects.