Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 44, Numéro C4, Septembre 1983
Colloque International du C.N.R.S. sur les Propriétés et Structure des Dislocations dans les Semiconducteurs / Properties and Structure of Dislocations in Semiconductors
Page(s) C4-115 - C4-123
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:1983414
Colloque International du C.N.R.S. sur les Propriétés et Structure des Dislocations dans les Semiconducteurs / Properties and Structure of Dislocations in Semiconductors

J. Phys. Colloques 44 (1983) C4-115-C4-123

DOI: 10.1051/jphyscol:1983414

EXPERIMENTAL STUDIES OF ENERGY STATES ASSOCIATED WITH DISLOCATIONS IN III-V COMPOUNDS

J.L. Farvacque, D. Ferre et D. Vignaud

Laboratoire de Structure et Propriétés de l'Etat Solide (L.A. 234 C.N.R.S.), Université des Sciences et Techniques de Lille, 59655 Villeneuve d'Ascq Cedex, France


Résumé
L'analyse des mesures galvanomagnétiques et des spectres d'absorption optique obtenus sur les composés III-V contenant des dislocations montre que les états d'énergie associés aux dislocations dépendent de façon autocohérente de leur taux d'occupation. Dans le cas d'une forte localisation de ces niveaux la position du niveau effectif peut être évaluée dans du déplacement rigide du niveau neutre, proposé initialement par Read. Dans les autres cas, une description grossière de la position de ces niveaux peut être obtenue en introduisant un paramètre de délocalisation dans le but de diminuer l'amplitude du déplacement rigide de la bande de dislocation.


Abstract
The analysis of transport measurements and optical absorption spectra performed on III-V compounds containing dislocations show that the dislocation of a strong localization of the dislocation energy states, the position of these effective levels can be evaluated by using the hypothesis of the rigid shift of the neutral level as initially proposed by Read. In other cases, a rough description of the effective levels can be obtained by introducing a delocalization parameter in order to reduce the strength of the rigid shift.