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J. Phys. Colloques
Volume 44, Numéro C4, Septembre 1983
Colloque International du C.N.R.S. sur les Propriétés et Structure des Dislocations dans les Semiconducteurs / Properties and Structure of Dislocations in Semiconductors
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| Page(s) | C4-61 - C4-67 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1983407 | |
Colloque International du C.N.R.S. sur les Propriétés et Structure des Dislocations dans les Semiconducteurs / Properties and Structure of Dislocations in Semiconductors
J. Phys. Colloques 44 (1983) C4-61-C4-67
DOI: 10.1051/jphyscol:1983407
Department of Physics, University of Exeter, Stocker Road, Exeter EX4 4QL, Devon, U.K.
J. Phys. Colloques 44 (1983) C4-61-C4-67
DOI: 10.1051/jphyscol:1983407
THEORIES OF DISLOCATION MOBILITY IN SEMICONDUCTORS
R. JonesDepartment of Physics, University of Exeter, Stocker Road, Exeter EX4 4QL, Devon, U.K.
Résumé
Nous présentons une revue des théories concernant la mobilité des dislocations dans les semiconducteurs qui ont un potentiel de Peierls élevé. Nous comparons ces théories avec les observations expérimentales. Nous examinons tout particulièrement les effets du dopage et de l'éclairement. Nous décrivons des exemples analogues d'effets électroniques sur les défauts ponctuels.
Abstract
A review is given of the theories of the velocity of dislocations in semiconductors with a high Peierls potential and a comparison of these is made with experimental observations. Particular attention is given to the effects of doping and illumination. Analogous instances of electronic effects upon point defects are described.