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J. Phys. Colloques
Volume 43, Numéro C5, Décembre 1982
Colloque International sur l'Epitaxie des Semiconducteurs / Epitaxial Growth of Semiconductor Material
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| Page(s) | C5-457 - C5-464 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1982555 | |
J. Phys. Colloques 43 (1982) C5-457-C5-464
DOI: 10.1051/jphyscol:1982555
VAPOUR PHASE GROWTH OF GaAs BY THE HYDRIDE TECHNIQUE
I.A. DorrityThe General Electric Company, p. l. c., Hirst Research Centre, Wembley, England
Résumé
On a comparé les avantages relatifs des techniques au trichlorure et à l'hydrure pour la préparation des couchés épitaxiales de GaAs et l'on constate que la technique à l'hydrure présente certains avantages importants pour la production à grande échelle. On a examiné l'influence des conditions de croissance sur le taux de croissance et sur l'incorporation du dopant dans un réacteur à l'hydrure commercialement disponible. Des mesures d'uniformité ont été faites sur des couchés FET de grande surface, dont la croissance à eu lieu dans des conditions optimalisées, et les résultats sont présentés.
Abstract
The relative merits of the trichloride and hydride techniques for the preparation of GaAs epilayers are compared and the hydride technique is seen to offer some significant advantages for large scale production. The influence of growth conditions on growth rate and dopant incorporation in a commercially available hydride reactor is discussed. Uniformity measurements have been made on large area FET layers grown under optimised conditions, and the results are presented.