INFLUENCE DE LA TEMPERATURE D'EPITAXIE SUR LA QUALITE CRISTALLINE, LES PERFORMANCES ELECTRIQUES ET LE TYPE DE CONDUCTION DES COUCHES DE Cd_xHg_1-xTe PREPAREES EN EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES

Résumé
L'épitaxie par jets moléculaires (EJM) du Cd_xHg_1-x Te a été réalisée sur un substrat de CdTe orienté (111) à l'aide de trois cellules d'éffusion indépendantes : Cd, Te et Hg. Nous montrons que lorsque la température d'épitaxie augmente de 110°C à 180°C et que les paramètres de croissance sont maitrisés, la qualité cristalline s'améliore considérablement. Les performances éléctriques alors obtenues, sont comparables à celles des meilleurs matériaux Cd_x Hg_1-x Te. Nous montrons également que les couches préparées peuvent être de type n ou p. L'ensemble des résultats indique que les couches EJM de Cd_xHg_1-xTe ont actuellement atteint des caractéristiques qui les rendent utilisables pour des dispositifs de détection infra-rouge.

Abstract
Molecular beam epitaxy (MBE) of Cd_x Hg_1-x Te has been achieved on (111) oriented CdTe substrate with three independant effusion cells Cd, Te and Hg. We report here, that when the temperature of the epitaxy is raised from 110°C to 180°C and when the growth parameters are controled, the cristallinity is hightly improved. The electrical properties obtained, are within the range of the best value reported previously for this material. The layers can be grown n - type or p - type. All these results indicate that Cd_x Hg_1-x Te layers grown by MBE are now suitable for infrared detection devices.