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J. Phys. Colloques
Volume 43, Numéro C5, Décembre 1982
Colloque International sur l'Epitaxie des Semiconducteurs / Epitaxial Growth of Semiconductor Material
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| Page(s) | C5-119 - C5-126 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1982515 | |
J. Phys. Colloques 43 (1982) C5-119-C5-126
DOI: 10.1051/jphyscol:1982515
THE OMVPE GROWTH OF GaAs AND GaAlAs ON A LARGE SCALE
S.D. Hersee, M. Baldy, P. Assenat, D. Hyghe, M. Bonnet et J.P. DucheminThomson-CSF, Laboratoire Central de Recherches, Domaine de Corbeville, B.P. N°10, 91401 Orsay cedex, France
Résumé
Ce papier décrit une tentative positive d'industrialisation de la méthode organométallique, effectuée à deux niveaux. Premièrement avec le système GaAs/GaAlAs on a essayé différentes géométries de suscepteurs placées dans un réacteur horizontal pour faire des diodes lasers sur des surfaces supérieures à 50 cm2. Deuxièmement un réacteur vertical de grande capacité capable de traiter 20 plaques de diamètre trois pouces a été conçu et réalisé en collaboration avec la Société "Métal Research" pour assurer la croissance de GaAs. Les caractéristiques des couches : uniformité de composition d'épaisseur et de dopage sont discutées pour chacune des géométries.
Abstract
In this paper we discuss the design of "scaled up" OMVPE reactors and describe the characteristics of a horizontal reactor for which we have designed a susceptor geometry having a capacity of 60 cm2 of substrate. This is followed by a description of the growth behaviour of a very large scale vertical reactor, which was designed in collaboration with Metals Research and has a capacity of 900 cm2, i.e. twenty 3" slices of GaAs.