DOPANT INCORPORATION DURING LP-VPE OF GaAs

Résumé
Une étude du dopage avec Te et S de couches épitaxiées de GaAs dans le système HCl-Ga-AsH₃-H₂ à des pressions réduites à été faite. Te était ajouté à la source de Ga et H₂S injecté dans la région de dépôt. Pour les 2 dopants, la réduction de la pression d'H₂ conduit à augmenter les concentrations de dopant dans les couches. L'utilisation de concentrations de la phase gazeuse plus grandes que celles donnant les plus forts dopages accessibles (3xl0¹⁸ cm^-3 pour S, 6x10¹⁸ cm^-3 pour Te) conduit à des valeurs réduites de la mobilité des électrons. De ce comportement, nous concluons que l'incorporation des dopants continue sous une forme neutre au-delà de ces concentrations. Un modèle qualitatif décrivant les résultats obtenus sur l'incorporation des dopants est présenté.

Abstract
A study was made of the doping of epitaxial GaAs films with Te and S in the HCl-Ga-AsH₃-H₂ system at reduced pressures using Te added to the Ga source or H₂S injected in the deposition region. For both dopants reduction of the H₂ pressure leads to increased dopant concentrations in the films. The use of gas phase concentrations larger than those yielding the maximum attainable electron concentrations (3x10¹⁸ Cm^-3 for S, 6xl0^l8cm^-3 for Te) leads to reduced values for the electron mobility. It is concluded from this behavior that the uptake of dopants continues in neutral form beyond these concentrations. A qualitative model describing the data on dopant incorporation is presented.