| Numéro |
J. Phys. Colloques
Volume 43, Numéro C1, Octobre 1982
Colloque International du C.N.R.S. sur les Semiconducteurs Polycristallins / Polycrystalline Semiconductors
|
|
|---|---|---|
| Page(s) | C1-347 - C1-352 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1982146 | |
Colloque International du C.N.R.S. sur les Semiconducteurs Polycristallins / Polycrystalline Semiconductors
J. Phys. Colloques 43 (1982) C1-347-C1-352
DOI: 10.1051/jphyscol:1982146
1 Laboratoire de cristallochimie, réactivité et protection des matériaux, ERA 263, ENSCT 118 route de Narbonne, 31077 Toulouse Cedex, France
2 Laboratoire de Physique des Solides, LA 74, Université P. Sabatier, 118 route de Narbonne, 31062 Toulouse Cedex, France
J. Phys. Colloques 43 (1982) C1-347-C1-352
DOI: 10.1051/jphyscol:1982146
RAMAN SPECTROSCOPY CHARACTERIZATION OF POLYCRYSTALLINE GaP THIN FILMS GROWN BY MO-CVD PROCESS USING [Et2Ga - PEt2]3 AS ONLY SOURCE
F. Maury1, M. Combes1, G. Constant1, R. Carles2 et J.B. Renucci21 Laboratoire de cristallochimie, réactivité et protection des matériaux, ERA 263, ENSCT 118 route de Narbonne, 31077 Toulouse Cedex, France
2 Laboratoire de Physique des Solides, LA 74, Université P. Sabatier, 118 route de Narbonne, 31062 Toulouse Cedex, France
Résumé
La croissance de couches minces polycristallines de GaP a été obtenue entre 650 et 775°C par dépôt chimique en phase vapeur, sous pression réduite, en utilisant comme source d'élément la seule molécule organométallique [Et2Ga-PEt2]3. Le désordre de ces couches a été caractérisé par spectroscopie Raman.
Abstract
Growth of polycrystalline GaP layers has been obtained between 650 and 775°C, by low pressure metalorganic chemical vapor deposition, using the only molecule [Et2Ga-PEt2]3 as element source. The disorder has been characterized by Raman spectroscopy.