ETUDE DE LA STRUCTURE CRISTALLINE ET DE LA COMPOSITION DE FILMS D'ARSENIURE DE GALLIUM PULVERISES, AVEC OU SANS RECUIT LASER

Résumé
Nous avons étudié par diffraction de rayons X et par analyse non dispersive de rayons X des couches minces polycristallines de Ga As. Ces couches minces sont déposées par pulvérisation cathodique R.F. sur des substrats dont la température est contrôlée. Nous avons utilisé des substrats amorphes : verre nu, verre recouvert de molybdéne, feuilles de molybdéne ainsi que des substrats monocristallins de germanium. Les meilleurs dépôts ont été obtenus sur Ge et sur feuille de Mo. L'état cristallin des films est suivi à partir du rapport des intensités des pics de diffraction I(111)/I(220). La composition des couches est étudiée à partir des raies Kα de Ga et de As. Cela nous a permis d'établir une corrélation entre l'écart à la stochiométrie et le décalage des pics de diffraction X. Un recuit effecfué avec un laser pulsé à rubis (40ns ; 0,35 J cm^-2 et 0,15 J cm^-2 ; spot de 6 mm de diamètre) permet d'améliorer la cristallisation en surface mais s'accompagne d'une légère effusion d'arsenic.

Abstract
We have investigated the crystal texture and the composition of Ga As films sputtered on vitreous glass, on Mo deposited on glass, on Mo sheet and on monocristalline Ge. There substrates can be heated. The better crystalline structure is obtained with Mo sheets and with monocristalline Ge. Variation of crystal size and texture is followed by the ratis intensity of (111)/(220) measured from the X-ray diffractometer traces. Composition of Ga As layers have been studied by non dispersive X-ray analysis in the SEM with the help of Kα lines of gallium and arsenic. We have established the correlation between the composition and the shift of the X-ray diffraction traces. The irradiation of the films with a pulsed rub laser (40ns ; 0,35 J cm^-2 and 0,15 J cm^-2 ; spot of 6 mm diameter) improves the crystallisation but gives rise to an arsenic effusion.