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J. Phys. Colloques
Volume 43, Numéro C1, Octobre 1982
Colloque International du C.N.R.S. sur les Semiconducteurs Polycristallins / Polycrystalline Semiconductors
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| Page(s) | C1-135 - C1-139 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1982119 | |
J. Phys. Colloques 43 (1982) C1-135-C1-139
DOI: 10.1051/jphyscol:1982119
CHARGED GRAIN-BOUNDARIES IN n-Ge BICRYSTALS
X.J. Wu1, V. Szkielko2 et P. Haasen31 Institute of Metal Research, Academica Sinica, Shenyang, China
2 Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, Poland
3 Institut für Metallphysik, Universität Göttingen and Sonderforschungsbereich, 126 Göttingen/Clausthal, F.R.G.
Résumé
Nous avons fait croître des bicristaux de germanium avec deux types de joint de flexion à faible énergie, Σ 9 et Σ 11 (d'après la classification du modèle CSL). Les courant-voltage caractéristiques des joints de grains ont été mesurés dans un domaine de temperature entre 77K et 420K. Nous trouvons des barrières de potentiel seulement pour des joints du type Σ 11 dans le germanium du type n, ce qui confirme des prédictions sur la structure atomique de ces joints [1]. Les résultats expérimentaux permettent la conclusion que la charge électronique des joints Σ 11 est capturée par un défaut du réseau avec un niveau d'énergie d'environ 0,2 eV au dessus du sommet de la bande de valence.
Abstract
Germanium bicrystals with two types of low-energy symmetric tilt boundaries, Σ 9 and Σ 11 (CSL model classification) were grown. Current-voltage characteristics of grain-boundaries were measured in the temperature range 77 K ÷ 420 K. Potential barriers were found only at Σ 11 boundaries in n Ge which confirms the theoretical predictions of the atomic structure of these boundaries [1]. From the experimental data the conclusion is drawn that the electronic charge of Σ 11 boundaries is captured at the lattice defect with the energy level of about 0.2 eV above the top of the valence band.