| Numéro |
J. Phys. Colloques
Volume 41, Numéro C6, Juillet 1980
THIRD EUROPHYSICS TOPICAL CONFERENCELATTICE DEFECTS IN IONIC CRYSTALS |
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| Page(s) | C6-504 - C6-507 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:19806131 | |
LATTICE DEFECTS IN IONIC CRYSTALS
J. Phys. Colloques 41 (1980) C6-504-C6-507
DOI: 10.1051/jphyscol:19806131
Excitonic photoconductivity and structural defects in Cu2O crystals
A. Haydar et A. CoretLaboratoire de Spectroscopie et d'Optique du Corps Solide, Associé au C.N.R.S. n° 232, Université Louis-Pasteur, 5, rue de l'Université, 67000 Strasbourg, France
Résumé
Le spectre de photoconductivité de Cu2O à 4 K a été étudié pour des cristaux soumis à des traitements différents. Le rôle des zones déformées autour des inclusions dans le processus de dissociation des excitons en porteurs libres a été mis en évidence. Il existe une corrélation directe entre la densité des inclusions et l'intensité du photocourant. Le photocourant issu de transitions bandes à bandes est soumis aux mêmes variations que celui issu de la dissociation des excitons.
Abstract
The photoconductivity spectrum of Cu2O at 4 K is studied in crystals submitted to different treatments. The role of strained zones near inclusions in the dissociation process of excitons in free carriers is pointed out. A direct correlation exists between the density of inclusions and the intensity of the photocurrent. The band to band photocurrent is submitted to the same variations as the excitonic photocurrent.