ELECTRICAL CONDUCTIVITY BEHAVIOUR OF Gd DOPED EuO UNDER HYDROSTATIC PRESSURE

Résumé
Des monocristaux de EuO dopé au Gd ont été élaborés avec une concentration initiale en Gd de 1,5%. Le paramètre de réseau a été déterminé aux rayons X et est plus petit que celui de l'EuO pur. Des mesures de résistivité ont été faites jusqu'à 5 kbar de 50 K à 200 K. La concentration des porteurs a été déterminée à haute et basse température par des mesures d'effet Hall. La température de Curie a été déterminée par des mesures de magnétisation. Les points importants qui ressortent de ce travail sont que : i) la résistivité décroît sous pression tandis qu'elle augmente sur les échantillons d'EuO dopé à l'Eu ; ii) le pic de résistivité est déplacé avec la pression vers les hautes températures à raison de 0,8 K/kbar tandis que le point d'inflexion de la Courbe ρ(T) est déplacé à raison de 0,7 K/kbar. Le coefficient de pression négatif de la résistivité mesuré sur cet échantillon a été attribué à un effet de mélange des bandes 5d et 6s ; ainsi les variations de résistivité sous pression sont dues à des variations de mobilité car l'échantillon reste dégéneré à haute et basse température.

Abstract
Single crystals of Gd doped EuO have been grown with an initial Gd concentration of 1.5%. The lattice parameter has been determined by X-ray analysis and is smaller that of pure EuO. Measurements of resistivity under hydrostatic pressure have been performed up to 5 Kbar in the temperature range 50 K - 200 K. The carrier concentration has been determined at high and low temperature by Hall effect measurements. The Curie temperature has been determined by magnetization measurements. The main points of interest of this work are : i) the resistivity decreases under pressure while it increases in samples of Eu doped EuO ; ii) the resistivity peak is shifted by pressure towards high temperature at a rate of 0.8 K/kbar while the inflexion point of the ρ-vs-T curve is shifted at a rate of 0.7 K/kbar. The negative pressure coefficient of resistivity measured for this sample has been explained by the mixing of 6 s and 5 d bands ; so that the variations of resistivity under pressure are due to mobility variations because the sample remains degenerated at high and low ternperature.