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J. Phys. Colloques
Volume 41, Numéro C5, Juillet 1980
Colloque International du C.N.R.S sur les Semiconducteurs Magnétiques / Magnetic Semiconductors
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| Page(s) | C5-215 - C5-217 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1980536 | |
J. Phys. Colloques 41 (1980) C5-215-C5-217
DOI: 10.1051/jphyscol:1980536
PHOTOELECTRIC EFFECTS IN HIGH-RESISTIVITY EuSe
K. Yamada1, J. Heleskivi2 et H. Stubb21 On leave from Saitama University, JAPAN.
2 Technical Research Centre of Finland, Semiconductor Laboratory and Helsinki University of Technology, Electron Physics Laboratory, Otakaari 5 A, SF-02150 ESP00 15, Finland.
Résumé
On a étudié les propriétés des monocristaux d'EuSe rouge transparent de haute résistivité au moyen de la photoconductivité et de la tension de photodiffusion avec des photons d'energie plus basse ou égale à celle-ci de la bande interdite Eg. Les pointes principales des spectres obtenus par la phoconductiuité ou photovoltaïque se trouvent à l'énergie de 1,85 eV équivalente à Eg dans EuSe. On a trouvé deux niveaux de défaut aux énergies 1,3 eV et 1,67 eV respectivement.
Abstract
The properties of red- transparent high-resistivity EuSe single crystals have been studied by means of the photoconductivity and photodiffusive voltage with photon energies less or equal to the forbidden energy gap Eg. In both the photoconduction and photovoltage spectra the main peak is situated at a photon energy of 1.85 eV corresponding to Eg in EuSe. Two defect levels were found at photon energies 1.3 and 1.67 eV.