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J. Phys. Colloques
Volume 41, Numéro C5, Juillet 1980
Colloque International du C.N.R.S sur les Semiconducteurs Magnétiques / Magnetic Semiconductors
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| Page(s) | C5-205 - C5-214 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1980535 | |
J. Phys. Colloques 41 (1980) C5-205-C5-214
DOI: 10.1051/jphyscol:1980535
PHYSICAL PROPERTIES OF EuO VERSUS ELECTRONIC CONCENTRATIONS
C. GODART1, A. MAUGER2, J.P. DESFOURS1, 2 et J. C. ACHARD11 Chimie Métallurgique et spectroscopie des Terres Rares, E.R. 209, C.N.R.S. 92190 - MEUDON, FRANCE.
2 Laboratoire de Physique des Solides, C.N.R.S. 92190 - MEUDON, FRANCE. C.E.E.S., Université des Sciences, 34060 - Montpellier, France.
Résumé
Des monocristaux homogènes d'EuO, EuO riche en Eu, et EuO dopé au gadolinium ont été obtenus et caractérisés par des analyses : aux rayons X, avec des microsondes et par des mesures, en fonction de la température, d'effet Mossbauer, de spectroscopie infra-rouge et de résistivité. Des résultats de photoconductivité, effet Hall, mesures optiques et magnétiques sont apportés. Ils sont interprétés dans le cadre d'un modèle simple tenant compte des énergies de Coulomb, cinétique et d'échange et du degré de compensation d'un niveau donneur, ce niveau étant dû l'existence de lacunes d'oxygène ou d'atomes de Gd.
Abstract
Homogeneous single crystals of EuO, Eu rich EuO and Gd doped EuO have been obtained and characterized by X-ray, microprobe analysis ; Mossbauer, infrared spectroscopy and resistivity measurements versus temperature. Photoconductivity, Hall effect, optical and magnetic measurements are reported. They are interpreted within a simple model taking into account Coulomb, kinetic and exchange energies and considering the degree of compensation of the donor level due to oxygen vacancies or Gd atoms.