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J. Phys. Colloques
Volume 41, Numéro C5, Juillet 1980
Colloque International du C.N.R.S sur les Semiconducteurs Magnétiques / Magnetic Semiconductors
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| Page(s) | C5-157 - C5-159 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1980527 | |
J. Phys. Colloques 41 (1980) C5-157-C5-159
DOI: 10.1051/jphyscol:1980527
ELECTRONIC PROPERTIES OF HgCr2S4 IN CONNECTION WITH DEPARTURE FROM STOICHIOMETRY
P. Gibart1, A. Selmi1, L. Goldstein1 et C. Vérié21 Laboratoire de Magnétisme
2 Laboratoire de Physique des Solides, C.N.R.S., 1, Place A. Briand, 92190 Meudon-Bellevue, France.
Résumé
Des monocristaux du semiconducteur ferromagnétique HgCr2Se4 on été élaborés par transport en phase vapeur. Les monocristaux ainsi obtenus, ou recuits sous Se sont de type p à 300K. Un recuit sous atmosphère de mercure change de manière drastique les propriétés de transport, les échantillons deviennent de type n, le nombre de porteurs et la mobilité augmentent avec la pression de Hg lors du recuit. Ces résultats s'interprètent en admettant que les lacunes de sélénium et de mercure agissent comme donneurs et accepteurs respectivement.
Abstract
Single crystals of the ferromagnetic semiconductor HgCr2 Se4 were grown from the vapor. As grown and Se annealed crystals are p type at 300K. A drastic change of the transport properties appears after Hg annealing, the samples become n type, the number of carriers and the mobility increase with increasing pressure of Hg annealing. The results are understood assuming that Se vacancies act as two charged donors, whereas Hg vacancies atc as acceptors.