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J. Phys. Colloques
Volume 41, Numéro C5, Juillet 1980
Colloque International du C.N.R.S sur les Semiconducteurs Magnétiques / Magnetic Semiconductors
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| Page(s) | C5-161 - C5-170 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1980528 | |
J. Phys. Colloques 41 (1980) C5-161-C5-170
DOI: 10.1051/jphyscol:1980528
IV. TRANSPORT
ELECTRONIC STRUCTURE OF EUB6, TRANSPORT AND MAGNETIC PROPERTIES
T. Kasuya, K. Takegahara, M. Kasaya, Y. Isikawa et T. Fujita Department of Physics, Tohoku University, Sendai, Japan.
Résumé
On montre que dans les composés non magnétiques R++B6, le défaut le plus courant, la lacune R++, peut piéger un troisième trou en créant un électron de conduction comparateur, ceci à cause du caractère de semiconducteur à bande interdite étroite. Cet electron est faiblement piégé et donc donne lieu facilement à une conduction de type n. Différentes propriétés de transport sont expliquées par ce modèle. Dans EuB6 magnétique le défaut précédent forme un amas à moment géant. De plus, à cause de l'effet d'anti-liaison avec les niveaux 4f, les tander de valence de spin parallèle sont faussées à l'intérieur des tander de conduction dans l'état ferromagnétique, créant plusieurs électrons de conduction. Différentes propriétées anormales magnétiques et de transport sont expliquées dans ce modèle.
Abstract
In non-magnetic R++B6, it is shown that the most common defect R++ vacancy can trap third hole creating a compensating conduction electron due to the narrow gap semiconductor character. The latter is trapped loosely and thus easily causes n-type character. Various transport properties are explained on this model. In magnetic EuB6, the above defect center makes a giant moment cluster. Furthermore, due to the antibonding effect with the 4f levels, the valence bands of the parallel spin are pushed up into the conduction bands in ferromagnetic state creating many conduction electrons. Various anomalous magnetic and magneto transport properties are explained on this model.