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J. Phys. Colloques
Volume 40, Numéro C6, Juin 1979
International Symposium on Dislocations in Tetrahedrally Coordinated Semiconductors
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| Page(s) | C6-177 - C6-179 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1979636 | |
International Symposium on Dislocations in Tetrahedrally Coordinated Semiconductors
J. Phys. Colloques 40 (1979) C6-177-C6-179
DOI: 10.1051/jphyscol:1979636
Physikalisches Institut der Universität Würzburg, Röntgenring 8, D-8700 Würzburg, F.R.G.
J. Phys. Colloques 40 (1979) C6-177-C6-179
DOI: 10.1051/jphyscol:1979636
DYNAMICAL RECOVERY AND DIFFUSION
H. SiethoffPhysikalisches Institut der Universität Würzburg, Röntgenring 8, D-8700 Würzburg, F.R.G.
Résumé
Il est possible d'appliquer les techniques de la déformation plastique pour étudier l'autodiffusion dans le silicium et le germanium. On a pu déduire de cette façon des énergies d'activation de 2,8 eV et de 3,6 eV pour le Ge et le Si respectivement. Pour le Si, le facteur préexponentiel Do a été estimé à 0,5 cm2/s. On discute ces résultats en terme de diffusion par monolacunes.
Abstract
Plastic deformation techniques can be applied to investigate self-diffusion in Si and Ge. By this way, activation energies of 2.8 eV and 3.6 eV for Ge and Si, respectively, were deduced. For Si, the pre-exponential factor Do was estimated to be 0.5 cm2/s. These results are discussed in terms of diffusion by a monovacancy mechanism.