Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 40, Numéro C6, Juin 1979
International Symposium on Dislocations in Tetrahedrally Coordinated Semiconductors
Page(s) C6-161 - C6-167
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:1979633
International Symposium on Dislocations in Tetrahedrally Coordinated Semiconductors

J. Phys. Colloques 40 (1979) C6-161-C6-167

DOI: 10.1051/jphyscol:1979633

MOTION OF CHARGED DISLOCATIONS IN SEMICONDUCTORS AII BVI

Yu. A. Ossipyan et V.F. Petrenko

Solid State Physics Institute USSR Academy of Sciences, 142432 Chernogolovka, U.S.S.R.


Résumé
De nouveaux phénomènes liés au mouvement de dislocations chargées pendant la déformation de cristaux AII BVI ont été mis en évidence (effet de courtcircuit, courant dû aux dislocations, effets électroplastiques "croisés"). L'effet photoplastique et la luminescence due à la déformation sont discutés en termes de variations de la charge des dislocations. Il en résulte que les paramètres d'activation du mouvement des dislocations dépendent fortement de leur état de charge.


Abstract
New phenomena connected with movement of the charged dislocations during the plastic deformation of AII BVI crystals have been observed experimentally (short-circuiting effect, dislocation current, odd electroplastic effect). The photoplastic effect and deformation luminescence are discussed in terms of the dislocation charge variation. Activation parameters of a dislocation movement turn out to be strongly dependent on the dislocation line charge.