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J. Phys. Colloques
Volume 40, Numéro C6, Juin 1979
International Symposium on Dislocations in Tetrahedrally Coordinated Semiconductors
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| Page(s) | C6-157 - C6-160 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1979632 | |
J. Phys. Colloques 40 (1979) C6-157-C6-160
DOI: 10.1051/jphyscol:1979632
EXPERIMENTAL EVIDENCE FOR AN ASYMMETRICAL DISLOCATION SLIDE IN INDIUM ANTIMONIDE
J.L. Farvacque et D. FerreLaboratoire de "structure et propriétés de l'état solide", Villeneuve d'Ascq, France.
Résumé
Une préparation spéciale des éprouvettes d'In Sb permet de sélectionner le type (α ou β) des dislocations "60°" lors de sa déformation plastique. Les résultats expérimentaux établissent l'éxistence d'un comportement asymétrique du glissement correspondant aux énergies d'activation suivantes 0,6eV pour l'orientation molle, 1,1 eV pour l'orientation dure. On considère que l'origine de l'asymétrie est une conséquence de l'ionicité du cristal.
Abstract
It is possible to select, in a compression experiment, the flow of α or β "60°" dislocations by a special preparation of the In Sb samples. The experimental results establish a strongly asymmetrical dislocation motion for these cases, which correspond to different Peierls energies : 0.6 eV for the soft case, 1.1 eV for the hard case. This asymmetry is taken to be consequence of the crystal ionicity.