Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 40, Numéro C6, Juin 1979
International Symposium on Dislocations in Tetrahedrally Coordinated Semiconductors
Page(s) C6-151 - C6-155
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:1979631
International Symposium on Dislocations in Tetrahedrally Coordinated Semiconductors

J. Phys. Colloques 40 (1979) C6-151-C6-155

DOI: 10.1051/jphyscol:1979631

DETERMINATION OF SLIP PLANES IN CdxHg(1-x)Te BY ETCHING OF DISLOCATIONS INTRODUCED BY MICROHARDNESS INDENTATIONS

M. Brown et A.F.W. Willoughby

Engineering Materials Laboratories, The University, Shouthampton, U.K. S09 5NH


Résumé
L'importance du rôle du CdxHg(1-x)Te (CMT), dans des détecteurs infra-rouges a stimulé l'intérêt porté aux propriétés mécaniques et électriques de cette substance. Tandis que l'on a déjà fait de longues études au sujet des propriétés électriques de cette substance, on n'a publié jusqu'ici que peu de renseignements sur ces propriétés mécaniques et, en particulier, sur le système des glissements et les propriétés des dislocations. La plupart des attaques chimiques faites pour démontrer la figure des dislocations du CMT ne révèlent que des puits d'attaque sur des plans inclinés à moins de 20° de l'orientation {111}. On a décrit pour le HgTe un mélange chimique qui laisse voir des dislocations sur toutes les orientations, et nous avons démontré dans nos laboratoires que ce mélange est également efficace pour le CMT sur la plupart des plans ayant des indices peu élevés. Pour étudier des roses de dislocation induites à des températures vers 20°C par l'indentation de micro-dureté Vickers, on s'est servi du mélange mentionné ci-dessus sur deux faces diversement disposées. On a conclu que les plans de glissement actifs sont {111}. On décrit ces recherches, en les comparant aux recherches déjà connues sur le CdTe.


Abstract
The importance of CdxHg(1-x)Te (CMT) for intra-red detector applications has stimulated interest in the mechanical and electrical properties of this material. Whereas considerable effort has been employed in the study of the electrical properties of this material, very little information has been published on the mechanical properties and, in particular, the slip system and dislocation properties. Most reported dislocation etches for CMT only reveal dislocation etch-pits within about 20° of the {111} orientation. A dislocation etchant which reveals dislocations on all orientations has been reported for HgTe, and it has been shown in our laboratories that this is effective also on most low index planes of CMT. Dislocation rosettes introduced at room temperature by Vickers microhardness indentation have been studied using the above etchant on two differently oriented faces. It is concluded that the operative slip planes are {111}. These studies are discussed and compared with reported work on CdTe.