Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 40, Numéro C6, Juin 1979
International Symposium on Dislocations in Tetrahedrally Coordinated Semiconductors
Page(s) C6-71 - C6-74
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:1979615
International Symposium on Dislocations in Tetrahedrally Coordinated Semiconductors

J. Phys. Colloques 40 (1979) C6-71-C6-74

DOI: 10.1051/jphyscol:1979615

HALL EFFECT RESULTS ON Ge DEFORMED AT RELATIVELY LOW TEMPERATURES

P. Gondi, A. Cavallini et A. Castaldini

Istituto di Fisica "A. Righi", Università di Bologna, Unità GNSM del C.N.R., Via Inerio 46, 40126 Bologna, Italy


Résumé
On a étudié les effets électriques des dislocations introduites à 350°C dans du Ge du type n et p. Les résultats sont compatibles avec un niveau neutre des dislocations à 0,020 - 0,025 eV de la bande de valence. Par chauffage à 580°C les effets des dislocations introduites à 350°C changent comme si elles étaient introduites à 580°C.


Abstract
Electrical effects of dislocations introduced at 350°C in n-and p-type Ge are considered. Results are consistent with a neutral dislocation level at 0.020 - 0.025 eV from the valence band. By heating at 580°C the effects of the dislocations introduced at 350°C change towards those of dislocations introduced at 580°C.