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J. Phys. Colloques
Volume 40, Numéro C6, Juin 1979
International Symposium on Dislocations in Tetrahedrally Coordinated Semiconductors
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| Page(s) | C6-51 - C6-57 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1979611 | |
J. Phys. Colloques 40 (1979) C6-51-C6-57
DOI: 10.1051/jphyscol:1979611
INFLUENCE OF DISLOCATIONS ON THE HALL EFFECT IN SILICON AND GERMANIUM
W. SchröterIV. Physikalisches Institut der Universität Göttingen und Sonderforschungsbereich 126 Göttingen Clausthal 3400 Göttingen, F.R.G.
Résumé
Les résultats expérimentaux d'effet Hall obtenus sur les échantillons de silicium et de germanium ont été interprétés par une statistique d'occupation des états dans laquelle on suppose que le spectre d'énergie associé à la dislocation neutre subit une translation électrostatique rigide lorsque les états associés à la dislocation sont occupés par des électrons. Une bande à une dimension, partiellement remplie est associée aux dislocations partielles neutres à 90° dans le silicium et le germanium. Une bande pleine et une bande vide sont associées aux dislocations partielles neutres à 30° dans le germanium.
Abstract
Experimental Hall data for deformed silicon and germanium have been analyzed by means of occupation statistics that assume a rigid electrostatics shift of the energy spectrum at a neutral dislocation, when the dislocation states are occupied by electrons. A partially filled one dimensional band is attributed to neutral 90°-partial dislocations in Si and Ge and a full and empty band to neutral 30°-partials in Ge.