Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 40, Numéro C6, Juin 1979
International Symposium on Dislocations in Tetrahedrally Coordinated Semiconductors
Page(s) C6-43 - C6-45
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:1979609
International Symposium on Dislocations in Tetrahedrally Coordinated Semiconductors

J. Phys. Colloques 40 (1979) C6-43-C6-45

DOI: 10.1051/jphyscol:1979609

EFFECT OF DISLOCATION DISSOCIATION ON THE LOCALIZED ELECTRON AND HOLE STATES AT SCREW DISLOCATIONS IN GERMANIUM

H. Teichler1, 2

1  Max-Planck-Institut für Metallforschung, Institut für Physik, D-7000 Stuttgart, Germany
2  Institut für Metallphysik der Universität, D-3400 Göttingen, Germany


Résumé
On présente les résultats des calculs numériques concernant les effets de la dissociation sur les états localisés d'électrons et de trous associés à des dislocations-vis dans le germanium. Les calculs sont basés sur l'approximation de la masse effective et l'utilisation du potentiel de déformation.


Abstract
Results of numerical calculations concerning the effect of dislocation dissociation on the localized electron and hole states at screw dislocations in Ge are presented. The calculations are based on the effective mass approximation and use the deformation potential approach.