RECENT RESULTS ON THE STRUCTURE OF DISLOCATIONS IN TETRAHEDRALLY COORDINATED SEMICONDUCTORS

Résumé
Cet article décrit : a) des modèles structuraux de dislocations dissociées dans leur plan de glissement dans les semiconducteurs à coordination tétrahédrique, et corrèle ces structures avec les propriétés électriques - b) un mécanisme de montée pour la transformation d'un défaut d'empilement intrinsèque dans une dislocation dissociée, en un défaut d'empilement extrinsèque - c) les situations où les interactions coulombiennes entre partielles deviennent importantes - d) des résultats récents sur la dissociation des dislocations dans GaAs.

Abstract
This paper describes : a) structural models of dislocations dissociated on glide planes in tetrahedrally coordinated semiconductors, and correlates these structures with electrical properties - b) a climb mechanism for the transformation of the intrinsic stacking fault bounded by partial dislocations in a dissociated dislocation, into an extrinsic stacking fault - c) the conditions under which Coulomb forces between partials may be important - d) recent results on the dissociation of dislocations in GaAs.