ELECTRICAL RECOMBINATION BEHAVIOUR AT DISLOCATIONS IN GALLIUM PHOSPHIDE AND SILICON

Résumé
On revoit ici les récents résultats sur la recombinaison de porteurs aux dislocations dans Si et GaP. Les méthodes utilisées sont TEM, SEM EBIC et CL. Les méthodes SEM ont une résolution spatiale jusqu'à 1 µm et les informations électrique et luminescente peuvent être obtenues pour des dislocations individuelles. En examinant la même région par TEM et SEM, les informations structurelle, électrique et luminescente peuvent être comparées. Les résultats indiquent que les taux de recombinaison sont contrôlés par la diffusion des porteurs vers les dislocations par le GaP, et pour un mécanisme de recombinaison avec dislocation pour le Si. Pour le Si, les taux de recombinaison sont nettement différents pour les dislocations dissociées et nondissociées.

Abstract
This paper reviews some of the recent results obtained regarding electrical recombination at dislocations in Si and GaP using the TEM method and the SEM EBIC and CL methods. The SEM methods have spatial resolutions down to 1 µm, and so electrical and luminescent information can be obtained from individual dislocations. By examining the same areas by TEM and SEM methods, structural, electrical and luminescent data can be compared. The results indicate that the recombination efficiency is controlled by the diffusion of carriers to the dislocation for GaP, but by the recombination mechanism at the dislocation for Si. For Si, markedly different recombination efficiencies occur at dissociated and undissociated dislocations.