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J. Phys. Colloques
Volume 40, Numéro C6, Juin 1979
International Symposium on Dislocations in Tetrahedrally Coordinated Semiconductors
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| Page(s) | C6-11 - C6-18 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1979603 | |
J. Phys. Colloques 40 (1979) C6-11-C6-18
DOI: 10.1051/jphyscol:1979603
DISLOCATIONS IN SEMICONDUCTORS AS STUDIED BY WEAK-BEAM ELECTRON MICROSCOPY
D.J.H. Cockayne et A. HonsElectron Microscope Unit, University of Sydney, N.S.W. 2006, Australia
Résumé
On discute la configuration des dislocations observées dans les semi-conducteurs à l'aide de la technique du faisceau faible en microscopie électronique. La dissociation de ces dislocations est bien avérée. Plusieurs problèmes relatifs à la géométrie de ces dislocations sont bien résolus. Par contre les observations révèlent l'existence de nouveaux problèmes géométriques non encore résolus.
Abstract
The configuration of dislocations in semiconductors as revealed by the weak-beam method of electron microscopy is discussed. The dissociation of these dislocations has been clearly established, but while many earlier questions concerning the dislocation geometries have been resolved, new dislocation geometries have been revealed which are as yet unexplained.