Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 40, Numéro C6, Juin 1979
International Symposium on Dislocations in Tetrahedrally Coordinated Semiconductors
Page(s) C6-1 - C6-6
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:1979601
International Symposium on Dislocations in Tetrahedrally Coordinated Semiconductors

J. Phys. Colloques 40 (1979) C6-1-C6-6

DOI: 10.1051/jphyscol:1979601

MODELS OF THE DISLOCATION STRUCTURE

H. Alexander

Abt. f. Metallphysik im II. Phys. Inst. Univ. Köln, W-Germany


Résumé
On montre que les dislocations sont dissociées non seulement au repos mais aussi en mouvement. En utilisant les résultats obtenus par microscopie électronique, mesures électriques et spectroscopie EPR, il est montré que pendant la déformation plastique de nombreux défauts ponctuels sont relâchés par les dislocations en dessous d'une température critique. Ceci montre qu'au moins une partie des dislocations existe sous forme d'une association de dislocation dissociée avec une rangée de défauts ponctuels. Les énergies de fonte d'empilement dans le germanium (75 ± 10 mJ/m2) et le silicium (58 ± 6 mJ/m2) ont été à nouveau déterminées.


Abstract
It is demonstrated that dislocations not merely at rest but during their motion are dissociated. Combining results of electron microscopy, electric measurements and EPR spectroscopy it is concluded that during plastic deformation below a critical temperature numerous point defects are released by the dislocations. This indicates that at least part of the dislocations exists in form of an association of a split dislocation with a linear row of point defects. The stacking fault energies of germanium (75 ± 10 mJ/m2) and silicon (58 ± 6 mJ/m2) are redetermined.