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J. Phys. Colloques
Volume 37, Numéro C6, Décembre 1976
International Conference on the Applications of the Mössbauer Effect / Conférence Internationale sur les Applications de l'Effet Mössbauer
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| Page(s) | C6-889 - C6-892 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:19766188 | |
International Conference on the Applications of the Mössbauer Effect / Conférence Internationale sur les Applications de l'Effet Mössbauer
J. Phys. Colloques 37 (1976) C6-889-C6-892
DOI: 10.1051/jphyscol:19766188
1 Instituut voor Kern- en Stralingsfysika, University of Leuven, Belgium
2 Aangesteld Navorser N. F. W. O.
3 University of Cincinnati, Cincinnati, Ohio 45221, U. S. A.
J. Phys. Colloques 37 (1976) C6-889-C6-892
DOI: 10.1051/jphyscol:19766188
LATTICE LOCATION OF 5s-p IMPURITIES IMPLANTED IN TYPE-IV SEMICONDUCTORS
M. VAN ROSSUM1, J. DE BRUYN1, G. LANGOUCHE1, 2, R. COUSSEMENT1 and P. BOOLCHAND1, 31 Instituut voor Kern- en Stralingsfysika, University of Leuven, Belgium
2 Aangesteld Navorser N. F. W. O.
3 University of Cincinnati, Cincinnati, Ohio 45221, U. S. A.
Résumé
Nous avons utilisé l'effet Mössbauer dans le 125Te, 129Xe et 133Cs afin d'étudier l'environnement des atomes de Sb, Te, I et Xe implantés dans le Ge, Si et le diamant au moyen d'un séparateur d'isotopes. Les résultats de ces expériences sont comparés aux informations obtenues précédemment par effet Mössbauer et effet de Canalisation.
Abstract
The Mössbauer Effect of 125Te, 129Xe and 133Cs has been used to study the lattice location of Sb, Te, I and Xe ions implanted in Ge, Si and diamond lattices with an isotope separator. The results of these experiments are compared with previous Mössbauer Effect and channeling measurements.