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J. Phys. Colloques
Volume 37, Numéro C4, Octobre 1976
Colloque International du C.N.R.S. sur les Transitions Métal-Non Métal / Metal-Non Metal Transitions
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| Page(s) | C4-267 - C4-270 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1976446 | |
J. Phys. Colloques 37 (1976) C4-267-C4-270
DOI: 10.1051/jphyscol:1976446
DEGREE OF VALENCE MIXING IN THE METALLIC PHASE OF SmS AND IN TmSe
B. BATLOGG1, A. SCHLEGEL2 and P. WACHTER21 Laboratorium für Festkörperphysik, ETH, 8093 Zürich, Switzerland
2 Laboratorium für Festkorperphysik, ETH, 8093 Zürich, Switzerland
Résumé
Nous avons mesuré la réflectivité optique du TmSe et de la phase métallique du SmS avec des photons d'énergie entre 0,03 eV et 12 eV. Par les mesures différentielles des constantes de réseau du SmS semi-conducteur et métallique et de la fréquence des palsmons, nous concluons à une valence intermédiaire (2,85-2,9) dans la phase à haute pression. Dans le TmSe, la fréquence des palsmons révèle à peu près un électron délocalisé par ion de Tm.
Abstract
We report about the optical reflectivity of TmSe and of the metallic phase of SmS in the photon energy range between 0.03 eV and 12 eV. From the differentially measured lattice constants of both semiconducting and metallic SmS and from the plasma frequency, we deduce an intermediate Sm-valence of 2.85-2.9 in the high pressure phase. Also in TmSe, we conclude from the plasma frequency the existence of about one delocalized electron per Tm-ion.