| Numéro |
J. Phys. Colloques
Volume 40, Numéro C5, Mai 1979
Colloque International du C.N.R.S.La Physique des Terres Rares à l'Etat Métallique / Physics of Metallic Rare-Earths |
|
|---|---|---|
| Page(s) | C5-370 - C5-371 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:19795131 | |
Colloque International du C.N.R.S.
La Physique des Terres Rares à l'Etat Métallique / Physics of Metallic Rare-Earths
J. Phys. Colloques 40 (1979) C5-370-C5-371
DOI: 10.1051/jphyscol:19795131
Laboratorium für Festkörperphysik ETH, CH-8093 Zürich, Switzerland
La Physique des Terres Rares à l'Etat Métallique / Physics of Metallic Rare-Earths
J. Phys. Colloques 40 (1979) C5-370-C5-371
DOI: 10.1051/jphyscol:19795131
Valence changes and semiconductor-to-metal transitions in Tm1-xEuxSe and TmSe1-xTex
B. Batlogg, E. Kaldis et P. WachterLaboratorium für Festkörperphysik ETH, CH-8093 Zürich, Switzerland
Résumé
En alliant TmSe à EuSe ou TmTe il est possible de faire varier la valence de Tm entre environ 3 + et 2 +. Les propriétés magnétiques, optiques et de transport mettent en évidence la transition métal-semiconducteur associée au changement de valence. Une pression hydrostatique permet d'inverser la situation en faisant passer Tm d'un état divalent à un état trivalent.
Abstract
Alloying TmSe with either EuSe or TmTe results in a Tm valence varying from nearly 3+ to 2+. Optical, transport and magnetic properties show the concomittant metal-to-semiconductor transition. Hydrostatic pressure then converts Tm from divalent back to trivalent.