Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 37, Numéro C4, Octobre 1976
Colloque International du C.N.R.S. sur les Transitions Métal-Non Métal / Metal-Non Metal Transitions
Page(s) C4-101 - C4-104
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:1976415
Colloque International du C.N.R.S. sur les Transitions Métal-Non Métal / Metal-Non Metal Transitions

J. Phys. Colloques 37 (1976) C4-101-C4-104

DOI: 10.1051/jphyscol:1976415

ÉTUDE EN MICROSCOPIE ÉLECTRONIQUE DES TRANSITIONS DE PHASE DANS LES OXYDES DE VANADIUM DE COMPOSITION V2O3 et (V1-xCrx)2O3

R. AYROLES1, C. ROUCAU1, J.C. LAUNAY2 and M. POUCHARD2

1  Laboratoire d'optique Electronique du C.N.R.S. 29, rue Jeanne Marvig, 31055 Toulouse Cedex, France
2  Laboratoire de Chimie du Solide du C.N.R.S. Université de Bordeaux I, 351, cours de la Libération, 33405 Talence, France


Résumé
Les transitions de phase vers les basses températures dans le sesquioxyde de vanadium pur ou dopé donnent une phase antiferromagnétique isolante composée de domaines cristallographiques. La configuration de ces domaines a pu être déterminée au microscope électronique en comparant leurs images et les diagrammes de diffraction correspondants. Par ailleurs, des expériences effectuées à tension accélératrice élevée (1 500 kV), afin de bénéficier d'une meilleure pénétration des électrons, ont permis d'enregistrer des phénomènes évolutifs au voisinage de la transition. On a observé en particulier que ces domaines caractérisant la phase antiferromagnétique isolante se subdivisent avant de disparaître a la transition. Ces phénomènes évoluent réversiblement lorsqu'on abaisse la température du cristal.


Abstract
Electron microscope study of phase transition in vanadium oxides with composition V2O3 and (V1-xCrx)2O3. The phase transitions at low temperatures in the vanadium sesquioxide, pure or doped, take on antiferromagnetic insulator phase with crystallographic domains. The configuration of these domains was investigated with the electron microscope by comparing their images and corresponding diffraction patterns. The better penetration of high voltage (1 500 kV) electrons improved observation of the evolution of phenomena near the phase transition. In particular, the domains characterizing the antiferromagnetic phase were seen to subdivise before and disappear at the transition. The phenomena develop reversibly when the crystal temperature is reduced.