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J. Phys. Colloques
Volume 36, Numéro C3, Septembre 1975
EXPOSÉS et COMMUNICATIONS présentés à la Seconde Conférence Internationale sur les Composés Semiconducteurs Ternaires / Second International Conference on Ternary Semiconducting Compounds
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| Page(s) | C3-35 - C3-36 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1975307 | |
EXPOSÉS et COMMUNICATIONS présentés à la Seconde Conférence Internationale sur les Composés Semiconducteurs Ternaires / Second International Conference on Ternary Semiconducting Compounds
J. Phys. Colloques 36 (1975) C3-35-C3-36
DOI: 10.1051/jphyscol:1975307
School of Physics, University of Bath, Bath BA2 7AY, England
J. Phys. Colloques 36 (1975) C3-35-C3-36
DOI: 10.1051/jphyscol:1975307
GROWTH OF II IV V2 COMPOUNDS AND ALLOYS BY ACCELERATED CRUCIBLE ROTATION TECHNIQUES
B. R. PAMPLINSchool of Physics, University of Bath, Bath BA2 7AY, England
Résumé
On décrit la croissance de monocristaux de composés de structure chalcopyrite à partir de solutions métalliques. Le tube du four est animé d'un mouvement de rotation alternatif qui assure l'agitation du bain ; la température est abaissée avec des interruptions accompagnées de légers réchauffements afin de limiter les nucléations. Une tentative de croissance de ZnCdGeP4 est décrite.
Abstract
The growth of single crystals of chalcopyrite compounds from solution in liquid metals is described. The furnace tube is rotated to and fro to provide stirring and the temperature is lowered with interruptions and slight reheating to limit nucleations. An attempt to grow ZnCdGe2P4 is described.